文献类型：期刊文章

作　　者：温战华[1] 王立[1] 方文卿[1] 蒲勇[1] 罗小平[1] 郑畅达[1] 戴江南[1] 江风益[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302160)~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：3

起止页码：498-501

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜，在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理．用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响．ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM)随退火温度的升高变小，770℃后基本保持不变，ZnO(102)面双晶。扫描曲线的FWHM一直变小．770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰．同时，光致发光测试表明，随着退火温度升高，带边发光强度减弱，与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强．通过ICP刻蚀，去除退火后样品的表面层，ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失，表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面．

关 键 词：金属有机物化学气相沉积 氧化锌 X射线双晶衍射 光致发光谱

分 类 号：TN304.21]