文献类型：期刊文章

作　　者：肖友鹏[1] 莫春兰[1,2] 邱冲[1,2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,江西南昌330029

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家"863"计划(2003AA302160;2005AA311010)资助项目

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：364-368

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20103113111052)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。

关 键 词：硅衬底 GAN 蓝光LED 老化  光衰

分 类 号：O482.31] TN383.1[物理学类]