文献类型：期刊文章

作　　者：周印华[1] 汤英文[1,2] 饶建平[1] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,江西南昌330096

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：1

起止页码：252-255

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090811914648)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。

关 键 词：光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀  垂直结构GaN基LED  SI衬底

分 类 号：TN312.8]