文献类型：期刊文章

作　　者：莫春兰[1] 方文卿[1] 刘和初[1] 周毛兴[1] 江风益[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

出　　处：《高技术通讯》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)，信息产业部电子信息产业发展基金

年　　份：2005

卷　　号：15

期　　号：5

起止页码：58-61

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.

关 键 词：INGAN 多量子阱 LED 材料生长  SI(111)衬底 低压金属有机化学气相沉积  硅衬底 研制  反向漏电流  晶格失配  SI衬底 外延材料  工作电压  发光波长  外延片  缓冲层  IED  热失配  AIN  管芯  

分 类 号：TN312.8] TN215