文献类型：期刊文章

作　　者：熊传兵[1] 方文卿[1] 蒲勇[1] 戴江南[1] 王立[1] 莫春兰[1] 江风益[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划专项经费资助项目 (编号 :2 0 0 3 AA3 0 2 160 )~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：12

起止页码：1628-1633

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005088854938)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征 ,报道了 Zn O单晶膜的 (10 2 )非对称衍射结果 .研究结果表明 ,在 5 0 0～ 70 0℃范围内随生长温度升高 ,Zn O薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽 ,表面粗糙度减小 ,晶粒尺寸增大 ,在衬底温度为 6 0 0℃时生长的 Zn O膜的深能级发射最弱 .

关 键 词：MOCVD ZNO X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光  

分 类 号：TN304.055]