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硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究 ( EI收录 SCI收录)
Change in stress of GaN light-emitting diode films during the process of transferring the film from the Si(111) growth substrate to new substrate
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
基 金：国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2005AA311010,2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:(2004)125,(2004)479)资助的课题~~
年 份：2008
卷 号：57
期 号：5
起止页码：3176-3181
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20082411313514)、INSPEC、JST、SCI(收录号：WOS:000256262700088)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000256262700088)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要：利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.
关 键 词：GAN 发光二极管 硅衬底 应力
分 类 号：O472]
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