文献类型：期刊文章

作　　者：邝海[1] 刘军林[1] 程海英[1] 江风益[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：143-145

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20081011136165)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。

关 键 词：光学材料 SI衬底 加速老化  铜基板  硅基板

分 类 号：TN312.8] TN949.12