文献类型：期刊文章

作　　者：苏宏波[1] 戴江南[1] 蒲勇[1] 王立[1] 李方[1] 文卿[1] 江风益[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302160);电子信息产业发展基金资助项目~~

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：7

起止页码：1221-1224

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,ZnO薄膜的c轴晶格常数逐渐增大,a轴晶格常数逐渐变小,同时带隙相应逐渐增大.

关 键 词：ZNO MOCVD X射线双晶衍射 光致发光 应变  

分 类 号：TN304]