文献类型：期刊文章

作　　者：苏丽伟[1] 游达[2] 程海英[1,2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,江西南昌330096

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：4

起止页码：1066-1069

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20092012082782)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景。

关 键 词：光学材料 Ag反射镜  加速老化  SI衬底 绿光LED

分 类 号：TN312.8]