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南京大学扬州光电研究院 收藏

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研究主题:铟镓氮    GAN基材料    GAN    四元合金    肖特基接触    

研究学科:电子信息类    

被引量:2H指数:1WOS: 3 EI: 3 北大核心: 5 CSCD: 5

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24 条 记 录,以下是 1-10

Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理 ( EI收录)
1
《物理学报》中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;南京大学扬州光电研究院 徐峰 于国浩 邓旭光 李军帅 张丽 宋亮 范亚明 张宝顺  出版年:2018
江苏省自然科学基金(批准号:BK20161324);江苏省博士后科研资助计划项目(批准号:2018K008C);国家自然科学基金(批准号:61704185);江苏省重点研发计划(批准号:BE2015111;BE2016084)资助的课题~~
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长...
关键词:铟镓氮 X射线衍射 肖特基势垒 热电子发射
基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能 ( EI收录)
2
《物理学报》长春理工大学光电工程学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;南京大学扬州光电研究院 高承浩 徐峰 张丽 赵德胜 魏星 车玲娟 庄永漳 张宝顺 张晶  出版年:2020
吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G);国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014);江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C);苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题~~
基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 5...
关键词:微缩化发光二极管阵列  离子注入隔离  注入能量  发光孔径  
一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法
3
[发明专利] 南京大学扬州光电研究院 20121128徐洲 陈鹏 谭崇斌 徐兆青 张琳 吴真龙 徐峰 高峰 夏群 邵勇 王栾井 宋雪云  出版年:2013
一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法,属于半导体技术领域。先对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干,去除表面水汽,再采用可以形成厚膜的光刻胶,在GaN基样片表面制作厚度为1μm~100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨...
表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片
4
[发明专利] 南京大学;南京大学扬州光电研究院 20100113张荣 陈鹏 谢自力 施毅 刘斌 刘荣海 于治国 江若琏 韩平 修向前 郑有炓  出版年:2010
本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在Ga...
GaN纳米柱的量子效率研究
5
第13届全国MOCVD学术会议 2014李扬扬 华雪梅 施毅 张荣 郑有炓 陈鹏 蒋府龙 杨国锋 刘斌 谢自立 修向前 韩平 赵红  出版年:2014
GaN具有直接带隙宽,大激子束缚能,高热导率等优点,是制备光电器件和高温高功率器件的优选材料,由于近年来纳米材料的研究日益增多,GaN纳米材料也引起了广泛关注,GaN纳米材料与薄膜材料相比优点是纳米结构中存在应变弛豫可以...
无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
6
《中国科学:物理学、力学、天文学》南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室;枣庄学院光电工程学院;南京大学扬州光电研究院 张士英 修向前 徐庆君 王恒远 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 陆海 顾书林 张荣 郑有炓  出版年:2015
国家重点基础研究发展规划(编号:2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划(编号:2014AA032605);国家自然科学基金(批准号:60990311,61274003,60936004,61176063,61334009);江苏省自然科学基金(编号:BK2011010,BY2013077,BE2011132,BK20141320);固态照明与节能电子学协同创新中心、教育部新世纪优秀人才支持计划(编号:NCET-11-0229);江苏高校优势学科建设工程资助;扬州市“绿扬金凤计划”;南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman...
关键词:GaN微米/纳米结构  无电极光助化学腐蚀法  阴极射线发光图  
一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法
7
[发明专利] 南京大学扬州光电研究院 20170726徐峰 陈鹏 高峰 汤文景 张琳 华雪梅  出版年:2017
一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法,属于半导体技术领域,在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶...
一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法
8
[发明专利] 南京大学扬州光电研究院 20121128徐兆青 陈鹏 谭崇斌 徐洲 张琳 吴真龙 徐峰 高峰 夏群 邵勇 王栾井 宋雪云  出版年:2013
一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法,属于半导体技术领域,先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层,再蒸镀遮光层,行Lift-off处理后,经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤;再在GaN基上涂...
表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片
9
[发明专利] 南京大学;南京大学扬州光电研究院 20100113张荣 陈鹏 谢自力 施毅 刘斌 刘荣海 于治国 江若琏 韩平 修向前 郑有炓  出版年:2013
本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在Ga...
一种高响应紫外探测器的制作方法
10
[发明专利] 南京大学扬州光电研究院 20190124徐峰 陈鹏 高峰 汤文景 张琳 华雪梅  出版年:2019
一种高响应紫外探测器的制作方法,属于半导体器件制备技术领域,本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层,并控制生长掩膜沿指定晶向排列,然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面Al...
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