会议论文详细信息
GaN纳米柱的量子效率研究
文献类型：会议
作者单位：南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093 南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093 南京大学扬州光电研究院,扬州225009
会议文献：第13届全国MOCVD学术会议论文集
会议名称：第13届全国MOCVD学术会议
会议日期：20140506
会议地点：江苏扬州
主办单位：中国有色金属学会
出版日期：20140506
语 种：中文
摘 要：GaN具有直接带隙宽,大激子束缚能,高热导率等优点,是制备光电器件和高温高功率器件的优选材料,由于近年来纳米材料的研究日益增多,GaN纳米材料也引起了广泛关注,GaN纳米材料与薄膜材料相比优点是纳米结构中存在应变弛豫可以降低缺陷密度,这能够在很大程度上提高GaN基LED的内量子效率.
分 类 号：TN3] O78
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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