文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710615088.1

申 请 日：20170726

发 明 人：徐峰 陈鹏 高峰 汤文景 张琳 华雪梅

申 请 人：南京大学扬州光电研究院

申请人地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号

公 开 日：20171215

公 开 号：CN107482092A

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/Al<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>N多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层Al<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>N超晶格势垒层，然后再在Al<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>N超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长Al<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>N超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长Al<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>N超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。

主 权 项：1.一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，利用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层；其特征在于：所述AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/Al_xIn_yGa_1-x-yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层Al_xIn_yGa_1-x-yN超晶格势垒层，然后再在Al_xIn_yGa_1-x-yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长Al_xIn_yGa_1-x-yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长Al_xIn_yGa_1-x-yN超晶格势垒层，所述Al_xIn_yGa_1-x-yN超晶格势垒层中x和y的比值为3.66∶1，且x为0.1～0.8；y为0.03～0.22。

关 键 词：超晶格 势垒层  生长  模板层  多量子阱结构层  势阱层  半导体技术领域  超晶格结构层  紫外LED结构  量子阱结构 内量子效率 外延生长  短波长 短周期  缓冲层  衬底  加工  

IPC专利分类号：H01L33/04(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101)