文献类型：期刊文章

作　　者：张士英[1,2,3] 修向前[1] 徐庆君[1,2] 王恒远[1] 华雪梅[1] 谢自力[1] 刘斌[1] 陈鹏[1,3] 韩平[1] 陆海[1] 顾书林[1] 张荣[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093 [2]枣庄学院光电工程学院,枣庄277160 [3]南京大学扬州光电研究院,扬州225009

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(编号:2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划(编号:2014AA032605);国家自然科学基金(批准号:60990311,61274003,60936004,61176063,61334009);江苏省自然科学基金(编号:BK2011010,BY2013077,BE2011132,BK20141320);固态照明与节能电子学协同创新中心、教育部新世纪优秀人才支持计划(编号:NCET-11-0229);江苏高校优势学科建设工程资助;扬州市“绿扬金凤计划”;南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目

年　　份：2015

卷　　号：45

期　　号：8

起止页码：89-102

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段研究腐蚀样品的形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:在高浓度的KOH(1 mol/L)和低强度的紫外光照下,腐蚀出高质量的腐蚀坑、微米/纳米柱和纳米线;在低浓度KOH(0.4 mol/L)和高强度的紫外光照下,制备出GaN棱锥,研究发现此微米/纳米锥体阵列为包裹了位错的GaN晶体.在腐蚀液KOH浓度低至0.1 mol/L时,GaN腐蚀样品表面形成大量的晶须,聚集成束,晶须揭露了位错;并探讨了多形貌微米/纳米GaN的形成机理.腐蚀温度和GaN外延层极性对腐蚀形貌也具有明显的影响.

关 键 词：GaN微米/纳米结构  无电极光助化学腐蚀法  阴极射线发光图  

分 类 号：TN304]