文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201910066111.5

申 请 日：20190124

发 明 人：徐峰 陈鹏 高峰 汤文景 张琳 华雪梅

申 请 人：南京大学扬州光电研究院

申请人地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号

公 开 日：20190621

公 开 号：CN109920876A

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种高响应紫外探测器的制作方法，属于半导体器件制备技术领域，本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层，并控制生长掩膜沿指定晶向排列，然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面Al<Sub><I>x</I></Sub>Ga<Sub>1‑<I>x</I></Sub>N材料，最后在Al<Sub><I>x</I></Sub>Ga<Sub>1‑<I>x</I></Sub>N材料表面制备金属叉指结构电极形成肖特基接触，从而实现高响应紫外探测器。

主 权 项：1.一种高响应紫外探测器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用等离子体增强化学气相沉积法在GaN籽晶层上生长掩膜层；2）采用光刻工艺和湿法腐蚀方法，在掩膜层上开出条形或十字形沟槽窗口，直至沟槽窗口的底部暴露出GaN籽晶层，然后清洗；3）采用金属有机物化学气相沉积法，在具有沟槽窗口的半制品一侧依次外延生长半极性面GaN材料层和Al_xGa_1-xN材料层，其中x为0～1；4）利用光刻工艺定义金属叉指电极区域，通过电子束蒸发工艺形成Ni/Au双层金属MSM电极结构，然后在700～900℃温度范围内的氮气下进行20～50秒的快速热退火，形成Al_xGa_1-xN/Ni/Au肖特基接触，即得高响应紫外探测器。

关 键 词：紫外探测器 高响应  半导体器件制备  十字形沟槽  肖特基接触 横向外延  结构电极  半极性  低缺陷  金属叉  掩膜层  籽晶层  晶面 晶向 掩膜 制备  生长  制作  

IPC专利分类号：H01L31/108(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/18(20060101)