文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210492636.3

申 请 日：20121128

发 明 人：徐洲 陈鹏 谭崇斌 徐兆青 张琳 吴真龙 徐峰 高峰 夏群 邵勇 王栾井 宋雪云

申 请 人：南京大学扬州光电研究院

申请人地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号

公 开 日：20130403

公 开 号：CN103021835A

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，属于半导体技术领域。先对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽，再采用可以形成厚膜的光刻胶，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨胀，使掩蔽区域外扩的具有流动性的掩蔽层，然后对GaN基样片进行干法刻蚀，形成倾斜侧壁，最后，将刻蚀后的GaN基样片放入去胶液中去除残留掩蔽层，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用去离子水漂洗，氮气吹干。本发明具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。

主 权 项：1.一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，其特征在于包括以下步骤：1) 对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽；2) 光刻：采用可以形成厚膜的光刻胶，经包括匀胶、软烘、曝光、显影和坚膜工艺步骤，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨胀，使掩蔽区域外扩的具有流动性的掩蔽层；3) 对GaN基样片进行干法刻蚀，形成倾斜侧壁；4) 将刻蚀后的GaN基样片放入去胶液中去除残留掩蔽层，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用去离子水漂洗，氮气吹干。

关 键 词：掩蔽  样片 干法刻蚀 倾斜侧壁  刻蚀 半导体技术领域  氮气  干法刻蚀过程  超声清洗 去离子水  无水乙醇  样片表面  水汽  漂洗  光刻胶  烘干  丙酮  厚膜 胶液  膨胀  

IPC专利分类号：H01L21/3065(20060101)