文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210492585.4

申 请 日：20121128

发 明 人：徐兆青 陈鹏 谭崇斌 徐洲 张琳 吴真龙 徐峰 高峰 夏群 邵勇 王栾井 宋雪云

申 请 人：南京大学扬州光电研究院

申请人地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号

公 开 日：20130403

公 开 号：CN103022309A

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。

主 权 项：1.一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，其特征在于包括以下步骤： 1）利用紫外光刻技术在以蓝宝石或Si或SiC为衬底的GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层； 2）利用真空蒸镀设备在步骤1）具有光刻胶几何图形的GaN基上蒸镀一金属层作为光刻聚酰亚胺的遮光层； 3）利用去胶液对步骤2）形成的所述遮光层先进行Lift-off处理，然后将半制品先后经丙酮和无水乙醇浸泡后，再用去离子水冲洗干净，最后置于100～150℃的烘箱内烘烤5～20min； 4）利用旋涂法在步骤3）所述的GaN基上涂布一层均匀的负型聚酰亚胺薄膜，并置于100～150℃烘箱内烘烤3～10min； 5）采用步骤1）中使用的掩模版为光刻掩模版对负型聚酰亚胺薄膜进行曝光，再经显影液显影、以定影液乙酸丁酯定影，得到聚酰亚胺的微图形； 6）对所述聚酰亚胺的微图形进行0～300℃的低温固化； 7）用盐酸水溶液或者氢氟酸水溶液去除GaN基上的残余金属遮光层； 8）对聚酰亚胺的微图形进行300℃～400℃高温固化处理30～60min。 2.根据权利要求1所述在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，其特征在于：在所述步骤1）中，首先在GaN基上旋涂0.5～2.0μm的负型光刻胶，在紫外线波长为245～410nm的条件下曝光1～20s，烘烤后经过3～10min的显影。 3.根据权利要求1所述在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，其特征在于：所述步骤1）的光刻胶几何图形掩膜层的边长或直径为20～3000μm，图形之间的间隔为20～1000μm。 4.根据权利要求1所述在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，其特征在于：所述步骤2）中所述金属为Ni或Ti；所述金属层的厚度为50～3000nm。 5.根据权利要求1所述在GaN基材料表面上制备聚酰亚�

关 键 词：聚酰亚胺 微图形  遮光层  烘烤  半导体技术领域  定影 表面平坦化  层间绝缘膜  沟槽填充物  残余金属  低温固化  高温固化 几何图形  去离子水  无水乙醇  制备聚酰  保护膜  多芯片 光刻胶  丙酮  显影  亚胺 掩膜  蒸镀  薄膜  冲洗  浸泡  芯片 干净  曝光  

IPC专利分类号：H01L33/44(20100101)