文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010018325.4

申 请 日：20100113

发 明 人：张荣 陈鹏 谢自力 施毅 刘斌 刘荣海 于治国 江若琏 韩平 修向前 郑有炓

申 请 人：南京大学 南京大学扬州光电研究院

申请人地址：210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

公 开 日：20130731

公 开 号：CN101777615B

代 理 人：王玉梅

代理机构：32112 南京天翼专利代理有限责任公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。

主 权 项：1.一种表面无序多孔的GaN基片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；前述在酸溶液中加电压是加电压至2～60V，至电流减小至0.1-1毫安范围内；c.继续加电压至60V～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面1-10分钟，在GaN层表面形成无序多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面无序多孔的GaN基片。

关 键 词：多孔结构  基片表面  制备方法  用电化学方法  电压  多孔氧化铝 界面全反射  电化学池 腐蚀速率 湿法腐蚀 阳极氧化  层铝膜  酸溶液  随机化 氧化物  铝膜 损伤  腐蚀  传播  

IPC专利分类号：H01L33/22(20100101)