文献类型：期刊文章

作　　者：高承浩[1,2] 徐峰[2,3] 张丽[2] 赵德胜[2] 魏星[2] 车玲娟[2] 庄永漳[2] 张宝顺[2] 张晶[1]

Gao Cheng-Hao;Xu Feng;Zhang Li;Zhao De-Sheng;Wei Xing;Che Ling-Juan;Zhuang Yong-Zhang;Zhang Bao-Shun;Zhang Jing(Institute of Optoelectronic Engineering,Changchun University of Science and Technology,Changchun 085202,China;Department of Physics,Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China;Institute of Opto-Electronic,Nanjing University&Yangzhou,Yangzhou 225009,China)

机构地区：[1]长春理工大学光电工程学院,长春085202 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米加工平台,苏州215123 [3]南京大学扬州光电研究院,扬州225009

出　　处：《物理学报》

基　　金：吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G);国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014);江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C);苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题~~

年　　份：2020

卷　　号：69

期　　号：2

起止页码：234-240

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件不同发光孔径的有效发光面积比(实际发光面积与器件面积之比)分别为85%, 87%, 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比,离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比.

关 键 词：微缩化发光二极管阵列  离子注入隔离  注入能量  发光孔径  

分 类 号：TN312.8]