文献类型：期刊文章

作　　者：徐峰[1,2] 于国浩[1] 邓旭光[1] 李军帅[1] 张丽[1] 宋亮[1] 范亚明[1] 张宝顺[1]

Xu Feng;Yu Guo-Hao;Deng Xu-Guang;Li Song Liang;Fan Ya-Ming;Zhang Jun-Shuai;Bao-Shun;Zhang Li(Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China;Institute of Opto-Electronic,Nanjing University＆Yangzhou,Yangzhou 225009,China)

机构地区：[1]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123 [2]南京大学扬州光电研究院,扬州225009

出　　处：《物理学报》

基　　金：江苏省自然科学基金(批准号:BK20161324);江苏省博士后科研资助计划项目(批准号:2018K008C);国家自然科学基金(批准号:61704185);江苏省重点研发计划(批准号:BE2015111;BE2016084)资助的课题~~

年　　份：2018

卷　　号：67

期　　号：21

起止页码：344-349

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子发射和缺陷辅助的隧穿机理共同构成了肖特基势垒的电流输运机理.低背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒在热电子发射和热电子场发射模式下拟合的结果接近一致,表明热电子发射是其主导的电流输运机理.

关 键 词：铟镓氮 X射线衍射 肖特基势垒 热电子发射

分 类 号：O472]