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晶能光电(江西)有限公司 收藏

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研究主题:LED芯片    硅衬底    半导体发光器件    芯片    白光    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    经济学类    机械类    

被引量:60H指数:5WOS: 4 EI: 11 北大核心: 13 CSCD: 12

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356 条 记 录,以下是 1-10

光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率 ( EI收录)
1
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 周印华 汤英文 饶建平 江风益  出版年:2009
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极...
关键词:光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀  垂直结构GaN基LED  SI衬底
Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 ( EI收录)
2
《发光学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 肖友鹏 莫春兰 邱冲 江风益  出版年:2010
国家"863"计划(2003AA302160;2005AA311010)资助项目
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的...
关键词:硅衬底 GAN 蓝光LED 老化  光衰
Si衬底功率型GaN基绿光LED性能 ( EI收录)
3
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 苏丽伟 游达 程海英 江风益  出版年:2009
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助
对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7...
关键词:光学材料 Ag反射镜  加速老化  SI衬底 绿光LED
不同基板1W硅衬底蓝光LED老化性能研究 ( EI收录)
4
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 汪延明 熊传兵 王光绪 肖宗湖 熊贻婧 江风益  出版年:2010
国家863计划(2006AA03A128);教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730)资助课题
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三...
关键词:发光二极管 氮化镓 硅衬底
硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究 ( EI收录 SCI收录)
5
《物理学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 封飞飞 刘军林 邱冲 王光绪 江风益  出版年:2010
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128);教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730)资助的课题~~
在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在50...
关键词:硅衬底 N极性  ALN缓冲层 欧姆接触
Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究 ( EI收录)
6
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 刘军林 邱冲 江风益  出版年:2010
教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730);国家863计划(2006AA03A128)资助课题
在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树...
关键词:光电子学 SI衬底 光衰 增透膜 SION LED  
SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响 ( EI收录)
7
《发光学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电江西有限公司 邱冲 刘军林 郑畅达 姜乐 江风益  出版年:2008
国家“863”计划纳米专项(2003AA302160);国家“863”计划光电子课题(2005AA311010)资助项目
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝...
关键词:蓝光LED GaN  硅衬底  SIN 钝化 光衰
裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响 ( EI收录)
8
《人工晶体学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 肖宗湖 张萌 熊传兵 江风益 王光绪 熊贻婧 汪延明  出版年:2010
教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730)
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,...
关键词:SI衬底 INGAN/GAN LED 裂纹  应力
牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究 ( EI收录)
9
《物理学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 王光绪 陶喜霞 熊传兵 刘军林 封飞飞 张萌 江风益  出版年:2011
教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家自然科学基金(批准号:51072076,61040060)资助的课题~~
本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结...
关键词:氮化镓 发光二极管.牺牲Ni退火  p型接触  
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究 ( EI收录)
10
《物理学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 熊传兵 江风益 王立 方文卿 莫春兰  出版年:2008
国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010;2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:2004125;2004479)资助的课题~~
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的...
关键词:InGaAlN  发光二极管 垂直结构  电致发光
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