文献类型：期刊文章

作　　者：王光绪[1] 陶喜霞[1] 熊传兵[1,2] 刘军林[1,2] 封飞飞[1] 张萌[1,2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司

出　　处：《物理学报》

基　　金：教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家自然科学基金(批准号:51072076,61040060)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：7

起止页码：808-813

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000293366300120)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.

关 键 词：氮化镓 发光二极管.牺牲Ni退火  p型接触  

分 类 号：TN312.8]