文献类型：期刊文章

作　　者：封飞飞[1] 刘军林[1,2] 邱冲[2] 王光绪[1] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,南昌330029

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128);教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730)资助的课题~~

年　　份：2010

卷　　号：59

期　　号：8

起止页码：5706-5709

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000281024100084)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000281024100084)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.

关 键 词：硅衬底 N极性  ALN缓冲层 欧姆接触

分 类 号：TN304.2]