文献类型：期刊文章

作　　者：刘军林[1,2] 邱冲[2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,江西南昌330029

出　　处：《光学学报》

基　　金：教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730);国家863计划(2006AA03A128)资助课题

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：10

起止页码：2978-2982

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20104613383565)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树脂的老化变黄;又能部分弛豫环氧树脂对芯片的张应力,降低非辐射复合中心产生的几率;有效减小器件的侧壁漏电通道,降低器件的光衰和漏电流,提高器件的可靠性。

关 键 词：光电子学 SI衬底 光衰 增透膜 SION LED  

分 类 号：TN312.8]