文献类型：期刊文章

作　　者：邱冲[1] 刘军林[1,2] 郑畅达[1,2] 姜乐[1] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电江西有限公司,江西南昌330096

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家“863”计划纳米专项(2003AA302160);国家“863”计划光电子课题(2005AA311010)资助项目

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：5

起止页码：840-844

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。

关 键 词：蓝光LED GaN  硅衬底  SIN 钝化 光衰

分 类 号：O482.31] TN312.8[物理学类]