文献类型：期刊文章

作　　者：肖宗湖[1] 张萌[1,2] 熊传兵[1,2] 江风益[1,2] 王光绪[1] 熊贻婧[1] 汪延明[1]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,南昌330096

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730)

年　　份：2010

卷　　号：39

期　　号：4

起止页码：895-899

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20103813251740)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。

关 键 词：SI衬底 INGAN/GAN LED 裂纹  应力

分 类 号：O484]