文献类型：期刊文章

作　　者：汪延明[1] 熊传兵[1,2] 王光绪[1] 肖宗湖[1] 熊贻婧[1] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 [2]晶能光电(江西)有限公司,江西南昌330029

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家863计划(2006AA03A128);教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730)资助课题

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：6

起止页码：1749-1754

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102713063288)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对其老化特性进行了对比研究。研究结果表明,在三种基板中铜支撑基板的器件老化后光电特性最稳定。把这一现象归结于三种样品的应力状态以及基板热导率的不同,其中应力状态可能是影响器件可靠性的最主要因素。

关 键 词：发光二极管 氮化镓 硅衬底

分 类 号：TN312.8]