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上海联星电子有限公司 收藏

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研究主题:IGBT    集电极    终端区    集电区    漂移    

研究学科:电子信息类    电气类    

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108 条 记 录,以下是 1-10

一种有源区金属与终端区形成电连接的版图
1
[实用新型] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20130318褚为利 朱阳军 吴振兴 陆江  出版年:2013
本实用新型提供了一种有源区金属与终端区形成电连接的版图,在版图中四条边中部位置或四个拐角位置,有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接。本实用新型提供的一种实现有源区金属与终端区电连接的芯片版...
用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区
2
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20130318褚为利 朱阳军 田晓丽 张文亮 陆江  出版年:2014
本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区,包括:在正面结构中,包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极,所述场限环的掺杂类型与衬底相反...
逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法
3
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20121207张文亮 胡爱斌 朱阳军 陆江  出版年:2018
本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构,包括:基区、N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层、P<Sup>+</Sup>锗集电极区、N<Sup>+</Sup>锗短路区及集电极金属层;所述N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层设...
一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法
4
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20130318喻巧群 朱阳军 卢烁今 吴振兴 田晓丽  出版年:2018
本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法,属于功率半导体技术领域,该缓冲层包括至少两层N型掺杂层,缓冲层在漂移区和P+集电区之间,制作该缓冲层的方法为:在N‑型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层,第一掺杂层的掺...
一种低压RB-IGBT的制备方法
5
[发明专利] 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 20131127滕渊 朱阳军 田晓丽 卢烁今  出版年:2014
本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法,正反两面结构通过采用双面截断型终端结构,实现RB-IGBT的双向阻断能力,与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比,能有效的缩小终端区占有的芯片面积,从而节省成本。
一种沟槽型IGBT结构的制作方法
6
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20130318赵佳 朱阳军 胡爱斌 卢烁今  出版年:2018
本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法,属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域,在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层,在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽;在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积...
一种IGBT短路集电极结构的制备方法
7
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20130318胡爱斌 朱阳军 赵佳 吴振兴 卢烁今  出版年:2014
本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法,属于功率半导体器件。该方法为:在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后,将N-型衬底的背面减薄,并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层;依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底,...
逆导型IGBT的制备方法
8
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 20121207张文亮 田晓丽 朱阳军 吴振兴  出版年:2014
本发明公开了一种逆导型IGBT的制备方法,包括:在衬底上表面制备薄膜层;在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区;在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构;将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金...
一种匹配电路确定方法及负载牵引系统
9
[发明专利] 上海联星电子有限公司 20150114丛密芳 任建伟 李科 杜寰  出版年:2015
本发明涉及射频微波设计、测量领域,提供了一种匹配电路确定方法及负载牵引系统,以解决现有技术中无法准确设计出高功率的功率放大器的匹配电路的技术问题。该方法应用于负载牵引系统,该系统中设置有被测器件,被测器件的第一端连接有第...
一种IGBT及其制作方法
10
[发明专利] 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 20121210谈景飞 朱阳军 胡爱斌 张文亮 王波  出版年:2014
本发明公开了一种IGBT及其制作方法,所述IGBT包括:位于所述半导体衬底上表面的栅极结构;位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区,其中,所述阱区内设置有源区,所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上...
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