文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210530076.6

申 请 日：20121210

发 明 人：谈景飞 朱阳军 胡爱斌 张文亮 王波

申 请 人：上海联星电子有限公司 中国科学院微电子研究所 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室

公 开 日：20140618

公 开 号：CN103872111A

代 理 人：王宝筠

代理机构：11227 北京集佳知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。所述IGBT工作时，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-阱区，流入源极，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-浅阱区，流入源极。可见，所述浅阱区为IGBT提供了一个额外的电流通道对空穴电流进行分流，进而提高了IGBT的闩锁电流，增加IGBT抗闩锁能力。

主 权 项：1.一种IGBT，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。

关 键 词：上表面  半导体衬底  空穴电流  电区  源极 漂移 闩锁 背面  电流通道  栅极结构 有源 电流  半导体  掺杂  分流  接触  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/331(20060101)