文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310086224.4

申 请 日：20130318

发 明 人：胡爱斌 朱阳军 赵佳 吴振兴 卢烁今

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20140604

公 开 号：CN103839797A

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法，属于功率半导体器件。该方法为：在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分掩蔽层和N-型衬底，并在N-型衬底的背面形成凹槽；在掩蔽层上和凹槽内淀积薄膜层，薄膜层的材料为锗，锗的厚度大于所述凹槽的深度；刻蚀掉掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，在掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。本发明在器件特性上，可以降低IGBT的导通电压和关断时间，并优化其导通和关断的折中特性；在制备工艺上，可以在较低温度下完全激活杂质，从而易于工艺的控制。

主 权 项：1.一种IGBT短路集电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N-型衬底的背面减薄，并在所述N-型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分所述掩蔽层和所述N-型衬底，并在所述N-型衬底的背面形成凹槽；在所述掩蔽层上和所述凹槽内淀积薄膜层，所述薄膜层的材料为锗，所述锗的厚度大于所述凹槽的深度；刻蚀掉所述掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，所述高温退火的温度为300℃-500℃；在所述掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。

关 键 词：掩蔽  衬底  薄膜层  淀积 背面  刻蚀  功率半导体器件 集电极结构  高温退火 离子注入 器件特性  栅极结构  制备方法  制备工艺  集电极 刻蚀孔  短路 源极  电压  激活  平坦  金属  大于  优化  

IPC专利分类号：H01L21/283(20060101)