文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201320121934.1

申 请 日：20130318

发 明 人：褚为利 朱阳军 吴振兴 陆江

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20130814

公 开 号：CN203134806U

代 理 人：刘丽君

代理机构：北京市德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型提供了一种有源区金属与终端区形成电连接的版图，在版图中四条边中部位置或四个拐角位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接。本实用新型提供的一种实现有源区金属与终端区电连接的芯片版图设计方案，不仅可以完成一般版图设计中所要完成的任务，还能够提高芯片的有源区和终端区过渡区域位置的抗闩锁能力，增加该位置的可靠性，进一步提高了器件整体的可靠性。

主 权 项：1.一种有源区金属与终端区形成电连接的版图，其特征在于：包括与栅极连接的多晶硅、与栅极连接的金属层、场限环组成的终端区域、有源区的源极金属层、及与主结和第一级场限环中间区域连接的金属，在版图中有源区与终端区的过渡区的四条边中部位置或四个拐角位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接；在版图中有源区与终端区的过渡区的四条边中部位置或四个拐角位置之外的位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属无电连接。

关 键 词：有源  电连接 终端区 金属 版图 版图设计 拐角位置  过渡区域  芯片版图  中间区域  场限环 金属层  源极  闩锁  芯片  中部  连接  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/40(20060101);H01L23/48(20060101)