文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310085624.3

申 请 日：20130318

发 明 人：喻巧群 朱阳军 卢烁今 吴振兴 田晓丽

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20180619

公 开 号：CN103839990B

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法，属于功率半导体技术领域，该缓冲层包括至少两层N型掺杂层，缓冲层在漂移区和P+集电区之间，制作该缓冲层的方法为：在N‑型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度为5e14/cm<Sup>3</Sup>–5e16/cm<Sup>3</Sup>；在第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；通过质子辐照或者离子注入的方法在透光区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度为1e15/cm<Sup>3</Sup>–5e17/cm<Sup>3</Sup>。本发明可以获得更理想的缓冲层掺杂浓度分布，可以改善开关速度，同时抑制导通压降的波动。

主 权 项：1.一种IGBT的缓冲层结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在N-型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂浓度为5e14/cm³–5e16/cm³；在所述第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；通过质子辐照或者离子注入的方法在所述透光区域形成第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂浓度为1e15/cm³–5e17/cm³。

关 键 词：掺杂层  缓冲层  掺杂 透光区域  质子辐照 功率半导体技术  缓冲层结构  导通压降 浓度分布  掩膜区域  集电区 漂移区 掩膜板 衬底  两层  制作  离子  背面  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/26(20060101)