文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310086355.2

申 请 日：20130318

发 明 人：褚为利 朱阳军 田晓丽 张文亮 陆江

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20140604

公 开 号：CN103839993A

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的基区掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的发射极掺杂类型与衬底相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极，而终端区发射极的位置保持N型掺杂。本发明还公开了另外两种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区。本发明将终端背面的集电区P型层用绝缘物质代替，避免了器件关断过程中元包发生闩锁并最终失效。

主 权 项：1.一种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，其特征在于，包括：在正面结构中，包括衬底（501）、场限环（505）、覆盖场限环（505）的氧化层或者钝化层（506）、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区（503）、IGBT元包的发射极（504）及发射极金属电极（508），所述场限环（505）的掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的基区（503）掺杂类型与衬底（501）相反，IGBT元包的发射极（504）掺杂类型与衬底（501）相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极（502A），而终端区发射极的位置保持N型掺杂（502B）。

关 键 词：发射极 衬底  绝缘栅双极晶体管 掺杂  场限环 终端区 闩锁 基区  背面  发射极金属  层掩膜版  绝缘物质  位置保持  正面结构  钝化层  氧化层  电极  电区  有源  终端  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101)