文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310085577.2

申 请 日：20130318

发 明 人：赵佳 朱阳军 胡爱斌 卢烁今

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20180911

公 开 号：CN103839802B

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两沟槽内和两沟槽之间以外的多晶硅层，在两沟槽的外侧分别形成p‑基底区域，在p‑基底区域形成N+注入区；在p‑基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分隔离氧化层，形成发射器的接触孔。本发明通过在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，从而增加了器件的快速反应能力。

主 权 项：1.一种沟槽型IGBT结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在N-型衬底的上表面开出一窗口区域，在所述窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在所述窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在所述N-型衬底的上表面和所述沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在所述栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两所述沟槽内和两所述沟槽之间以外的多晶硅层，在两所述沟槽的外侧分别形成p-基底区域，在所述p-基底区域形成N+注入区；在所述p-基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分所述隔离氧化层，形成发射器的接触孔；在所述N-型衬底的正面淀积金属层，形成发射器的电极，在所述金属层上淀积钝化层；在所述N-型衬底的背面形成N-缓冲层，在所述N-缓冲层上形成P+集电区；在所述N-型衬底的底部，采用淀积方法，生长背面金属；其中，所述氧化层的厚度与所述沟槽的深度相同。

关 键 词：窗口区域  多晶硅层  基底区域  氧化层 刻蚀  上表面  栅氧层  衬底  淀积 半导体技术领域  快速反应能力  隔离氧化层  发射器  沉淀隔离  电容介质  密勒电容  选择氧化  沟槽型  硅表面 接触孔 注入区  生长  侧壁  减小  制作  

IPC专利分类号：H01L21/331(20060101)