文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210526292.3

申 请 日：20121207

发 明 人：张文亮 田晓丽 朱阳军 吴振兴

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20140618

公 开 号：CN103871876A

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种逆导型IGBT的制备方法，包括：在衬底上表面制备薄膜层；在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区；在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构；将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金属电极。本发明提供的一种逆导型IGBT的制备方法，采用正面光刻代替背面光刻，先在衬底正面制作出掺杂图形，然后外延出缓冲层及漂移区后进行正面工艺，最后通过背面减薄将衬底大部分或全部去掉，这样在硅片的背面形成第一导电类型区域与第二导电类型区域相间的分布，以满足逆导的功能。

主 权 项：1.一种逆导型IGBT的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上表面制备薄膜层；在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区；在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构；将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金属电极。

关 键 词：衬底  漂移  背面  导电类型区域  导电类型 正面结构  制备薄膜  制备方法  上表面  光刻 电极金属  制备芯片  缓冲层  电极 硅片  掺杂  芯片 金属

IPC专利分类号：H01L21/331(20060101)