文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310616662.7

申 请 日：20131127

发 明 人：滕渊 朱阳军 田晓丽 卢烁今

申 请 人：上海联星电子有限公司 中国科学院微电子研究所 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室

公 开 日：20140305

公 开 号：CN103617955A

代 理 人：刘杰

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法，正反两面结构通过采用双面截断型终端结构，实现RB-IGBT的双向阻断能力，与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比，能有效的缩小终端区占有的芯片面积，从而节省成本。

主 权 项：1.一种低压RB-IGBT的制造方法,其特征在于，包含：制作所述低压RB-IGBT的正面结构，包含有源区和主结；将所述低压RB-IGBT的背面减薄；在位于所述主结中间的背面挖槽，槽深达到所述主结；对所述槽进行离子注入；在所述槽中央进行划片。

关 键 词：节省成本  芯片面积 正反两面  终端结构 场限环 终端区 截断  阻断 终端  

IPC专利分类号：H01L21/331(20060101)