文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210524694.X

申 请 日：20121207

发 明 人：张文亮 胡爱斌 朱阳军 陆江

申 请 人：中国科学院微电子研究所 上海联星电子有限公司 江苏中科君芯科技有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

公 开 日：20180403

公 开 号：CN103855204B

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括：基区、N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层、P<Sup>+</Sup>锗集电极区、N<Sup>+</Sup>锗短路区及集电极金属层；所述N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层设置在基区底面；所述P<Sup>+</Sup>锗集电极区及N<Sup>+</Sup>锗短路区并列设置在所述N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。本发明还公开了一种逆导型IGBT的集电极结构的制备方法。本发明提供的一种逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法，采用锗材料或者锗硅材料做逆导型IGBT背面集电极可以大幅降低发生回跳现象时的集电极‑发射极电压、发射极电流密度，从而抑制了器件的回跳现象，还可以在低温下获得较高的杂质激活率，能避免昂贵的离子注入过程，降低导通电压和关断时间。

主 权 项：1.一种逆导型IGBT的集电极结构，其特征在于，包括：N^-锗缺陷层、P⁺锗集电极区、N⁺锗短路区及集电极金属层；所述N^-锗缺陷层设置在基区底面；所述P⁺锗集电极区及N⁺锗短路区并列设置在所述N^-锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。

关 键 词：逆导型  集电极结构  缺陷层 集电极金属层  集电极区  短路区  集电极 底面  基区  制备  离子注入过程  发射极电压  并列设置  导通电压  杂质激活  锗硅材料 发射极 锗材料  关断  背面  

IPC专利分类号：H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/16(20060101);H01L21/331(20060101)