南京国博电子有限公司 
研究主题：低噪声放大器 射频 功率放大器 砷化镓 INP
研究学科：电子信息类 自动化类 经济学类 交通运输类 机械类
- 5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器
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- 《电子元件与材料》南京电子器件研究所;南京国博电子有限公司 堵沈琪 陈亮 李丹 钱峰 杨磊 出版年：2020
- 关键词：镓化合物 异质结晶体管 功率放大器 自适应线性化偏置电路 反馈电路 射频功率检测电路
- 0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器
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- 《固体电子学研究与进展》南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所 吴健 郑远 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 出版年：2014
- 关键词：低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益
- 采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器
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- 《固体电子学研究与进展》南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所 郑远 吴键 艾萱 钱峰 陈新宇 杨磊 出版年：2013
- 关键词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路
- 一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器设计
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- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所;南京国博电子有限公司 汪宁欢 郑远 何旭 陈新宇 杨磊 出版年：2019
- 关键词：5G 砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 电流复用技术
- 基于氮化铝技术的表贴型微波封装
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- 《固体电子学研究与进展》南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所 郑远 吴健 钱峰 陈新宇 艾萱 曹坤 杨磊 出版年：2012
- 关键词：氮化铝 微波封装 微波单片集成电路 放大器
- 1.8 GHz Doherty功率放大器小型化技术研究
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- 《电子元件与材料》南京电子器件研究所;南京国博电子有限公司 莫宇 朱彦青 郑远 陈新宇 杨磊 出版年：2020
- 关键词：功率放大器 异质结双极型晶体管 多尔蒂结构 小型化 LC元件 微带线
- 内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片
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- 《固体电子学研究与进展》南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所 许正荣 应海涛 李娜 李小鹏 张有涛 杨磊 出版年：2012
- 关键词：砷化镓 增强型 耗尽型 射频开关 赝配高电子迁移率晶体管
- S波段宽带限幅低噪声放大器的设计
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- 《信息化研究》南京国博电子有限公司 施小翔 许庆 向虎 出版年：2019
- 关键词：小型化 宽带 低噪声放大器 限幅器
- GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片
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- 《固体电子学研究与进展》南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所 蒋东铭 陈新宇 杨立杰 黄子乾 出版年：2013
- 关键词：毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路
- 应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器
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- 《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所;南京国博电子有限公司 何旭 郑远 朱彦青 陈新宇 杨磊 出版年：2015
- 关键词：无线局域网 线性功率放大器 异质结双极型晶体管 误差矢量幅度
