期刊文章详细信息
GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片
A High Power Millimeter Wave SPDT Switch MMIC Using GaAs PIN Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京国博电子有限公司,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016
年 份：2013
卷 号：33
期 号：1
起止页码：37-41
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。
关 键 词：毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路
分 类 号：TN312.4]
参考文献：
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同被引文献：
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