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期刊文章详细信息

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器    

InGaP/GaAs HBT Linear Power Amplifier for WLAN Applications

  

文献类型:期刊文章

作  者:何旭[1] 郑远[1,2] 朱彦青[1,2] 陈新宇[1,2] 杨磊[1,2]

机构地区:[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]南京国博电子有限公司,南京211111

出  处:《固体电子学研究与进展》

年  份:2015

卷  号:35

期  号:1

起止页码:46-51

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=+5V、VReg=VPdown=+2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM(误差矢量幅度)值小于3%(输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s),可以满足WLAN应用对线性度的需求。

关 键 词:无线局域网 线性功率放大器 异质结双极型晶体管 误差矢量幅度

分 类 号:TN722]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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