文献类型：期刊文章

作　　者：莫宇[1] 朱彦青[2] 郑远[2] 陈新宇[2] 杨磊[2]

MO Yu;ZHU Yanqing;ZHENG Yuan;CHEN Xinyu;YANG Lei(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China;Nanjing Guobo Electronics Company Limited,Nanjing 211100,China)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,江苏南京210016 [2]南京国博电子有限公司,江苏南京211100

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2020

卷　　号：39

期　　号：1

起止页码：68-73

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD_E2019_2020、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于In GaP/GaAs HBT工艺设计了一款工作在1. 8 GHz的三级Doherty功率放大器,第一、二级为驱动级,第三级为Doherty放大器。通过分析Doherty结构,在原有基础上重新设计Doherty电路,使用LC元件替代微带线,减小功率分配网络与合路匹配网络的面积,进而缩小整体电路的面积。将输入、输出匹配网络及功分、合路部分集成至基板上,整体封装尺寸5 mm×5 mm。测试结果表明,芯片输入、输出回波损耗优于-15 d B,放大器整体增益优于33 d B,3 d B压缩点输出功率35 d Bm,其中第三级Doherty放大器峰值功率附加效率(PAE) 47. 9%,8 d B回退点的功率附加效率32. 7%。

关 键 词：功率放大器 异质结双极型晶体管 多尔蒂结构  小型化 LC元件  微带线

分 类 号：TN431.1]