文献类型：期刊文章

作　　者：郑远[1,2] 吴键[1,2] 艾萱[1,2] 钱峰[2] 陈新宇[1,2] 杨磊[1,2]

机构地区：[1]南京国博电子有限公司,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2013

卷　　号：33

期　　号：2

起止页码：124-129

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。

关 键 词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管  微波单片集成电路

分 类 号：TN386] TN454