文献类型：期刊文章

作　　者：堵沈琪[1,2] 陈亮[1,2] 李丹[2] 钱峰[1,2] 杨磊[2]

DU Shenqi;CHEN Liang;LI Dan;QIAN Feng;YANG Lei(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China;Nanjing Guobo Electronics Company Limited,Nanjing 211100,China)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,江苏南京210016 [2]南京国博电子有限公司,江苏南京211100

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2020

卷　　号：39

期　　号：3

起止页码：59-64

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD_E2019_2020、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。

关 键 词：镓化合物 异质结晶体管 功率放大器 自适应线性化偏置电路  反馈电路  射频功率检测电路  

分 类 号：TN431.1] TN722.7