文献类型：期刊文章

作　　者：许正荣[1] 应海涛[1] 李娜[1] 李小鹏[1] 张有涛[1,2] 杨磊[1]

机构地区：[1]南京国博电子有限公司,南京210016 [2]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：365-369

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。

关 键 词：砷化镓 增强型  耗尽型 射频开关 赝配高电子迁移率晶体管

分 类 号：TN386]