文献类型：期刊文章

作　　者：郑远[1] 吴健[1] 钱峰[2] 陈新宇[1] 艾萱[1] 曹坤[2] 杨磊[1]

机构地区：[1]南京国博电子有限公司,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：6

起止页码：584-589

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。

关 键 词：氮化铝 微波封装 微波单片集成电路 放大器

分 类 号：TN305.94] TN454