期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南京国博电子有限公司 [2]南京电子器件研究所
年 份:2014
卷 号:34
期 号:3
起止页码:211-215
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。
关 键 词:低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益
分 类 号:TN722.3]
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