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期刊文章详细信息

0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器    

Highly Linear Active Bias LNA with 0.5dB Noise Figure

  

文献类型:期刊文章

作  者:吴健[1,2] 郑远[1,2] 艾宣[1,2] 顾晓瑀[1] 朱彦青[1,2] 陈新宇[1,2] 杨磊[1,2] 钱峰[2]

机构地区:[1]南京国博电子有限公司 [2]南京电子器件研究所

出  处:《固体电子学研究与进展》

年  份:2014

卷  号:34

期  号:3

起止页码:211-215

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。

关 键 词:低噪声放大器 高线性 有源偏置  高增益

分 类 号:TN722.3]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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