文献类型：期刊文章

作　　者：汪宁欢[1] 郑远[2] 何旭[2] 陈新宇[2] 杨磊[2]

WANG Ninghuan;ZHENG Yuan;HE Xu;CHEN Xinyu;YANG Lei(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;Nanjing Guobo Electronic Company Limited,Nanjing,211100,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]南京国博电子有限公司,南京211100

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2019

卷　　号：39

期　　号：1

起止页码：17-22

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用0.25μm GaAs E-pHEMT工艺设计和制作了一款0.6～4.2 GHz宽带低噪声放大器芯片。芯片采用电流复用技术,降低了整体功耗,且集成了关断(Shutdown)控制电路用于关断低噪声放大器。测试结果表明,在工作频带内,低噪声放大器增益大于23 dB,增益平坦度在2 dB左右,输入输出回波损耗小于-10 dB,噪声系数低于1 dB,输出1 dB压缩点大于17 dBm,开关时间均在30 ns左右。芯片具有宽带、噪声系数低、集成度高和低功耗等特点,在基站接收系统中具有一定的应用价值。

关 键 词：5G  砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管  低噪声放大器 电流复用技术  

分 类 号：TN722.3]