西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 
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研究主题：4H-SIC 应变SI 阈值电压 ALGAN/GAN GAN
研究学科：电子信息类 自动化类 电气类 机械类 核工程类
被引量：1,141H指数：13WOS: 238 EI: 386 北大核心: 494 CSCD: 484
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排序方式：
- 第一性原理研究应变Si/(111)Si(1-x)Gex能带结构 ( EI收录 SCI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 出版年：2008
- 国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)资助的课题~~
- 基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢...
- 关键词：应变硅 能带结构 第一性原理
- 应变Si价带色散关系模型 ( EI收录 SCI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 出版年：2008
- 国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)资助的课题~~
- 基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价...
- 关键词：应变SI K.P理论 色散关系
- 双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理 ( EI收录 SCI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 柴常春 席晓文 任兴荣 杨银堂 马振洋 出版年：2010
- 国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~
- 针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损...
- 关键词：双极晶体管 强电磁脉冲 器件损伤 损伤功率
- 应用混合游程编码的SOC测试数据压缩方法 ( EI收录)
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- 《电子学报》西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 方建平 郝跃 刘红侠 李康 出版年：2005
- 国家高技术研究发展计划(No.2003AA1Z1630);自然科学基金(No.60206006)
- 本文提出了一种有效的基于游程编码的测试数据压缩/解压缩的算法:混合游程编码,它具有压缩率高和相应解码电路硬件开销小的突出特点.另外,由于编码算法的压缩率和测试数据中不确定位的填充策略有很大的关系,所以为了进一步提高测试压...
- 关键词：测试数据压缩 不确定位填充 system-on-a chip(SOC)测试 混合游程编码
- 双极型晶体管高功率微波的损伤机理 ( EI收录)
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- 《强激光与粒子束》西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室;西北核技术研究所 范菊平 张玲 贾新章 出版年：2010
- 模拟集成电路国家重点实验室基金项目(9140C09040206DZ0101)
- 在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得...
- 关键词：高功率微波 晶体管 损伤 失效分析
- 压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析 ( EI收录)
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- 《振动与冲击》西安电子科技大学微电子所宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室 娄利飞 杨银堂 樊永祥 李跃进 出版年：2006
- 国家自然科学基金资助项目(90207022);武器装备预研基金项目(51411040105DZ0141)
- 以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳...
- 关键词：压电薄膜 有限元分析 耦合场 微传感器 模态分析
- Kriging插值与拉丁超立方试验相结合构造电路元模型 ( EI收录)
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- 《系统仿真学报》西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 游海龙 贾新章 张小波 董萍 出版年：2005
- 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439040103DZ0102)
- 电路系统的设计与优化常常需要参数与指标间简单、直接的模型,即电路的元模型。本文将Kriging插值和拉丁超立方抽样试验相结合构造了低功耗集成运算放大器的元模型。对于这种输出结果为确定值的电路仿真试验,与基于传统部分要因试...
- 关键词：元模型 试验设计 KRIGING插值 拉丁超立方抽样
- 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究 ( EI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院;中国电子科技集团第五研究所分析中心 张鹤鸣 崔晓英 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 出版年：2007
- 国家部委预研项目(批准号:51308040203;51408061105DZ0171)资助的课题~~
- 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器...
- 关键词：应变SiGe SOI MOSFET 阈值电压 模型
- SiC功率器件的研究和展望
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- 《电力电子技术》西安电子科技大学微电子学院、教育部宽禁带半导体重点实验室 张玉明 汤晓燕 张义门 出版年：2008
- 分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研...
- 关键词：碳化硅 器件 晶体管 迁移率
- 双极晶体管微波损伤效应与机理 ( EI收录)
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- 《物理学报》西安电子科技大学微电子学院 马振洋 柴常春 任兴荣 杨银堂 陈斌 出版年：2012
- 国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~
- 结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器...
- 关键词：双极晶体管 高功率微波 损伤机理
