文献类型：期刊文章

作　　者：马振洋[1] 柴常春[1] 任兴荣[1] 杨银堂[1] 陈斌[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题~~

年　　份：2012

卷　　号：61

期　　号：7

起止页码：511-517

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000303029500074)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化,研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理.结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周,在正半周时器件峰值温度略有下降,与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤,其易损部位是B-E结.对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明,初相为π的信号更容易损伤器件,而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.

关 键 词：双极晶体管 高功率微波 损伤机理  

分 类 号：TN322.8]