文献类型：期刊文章

作　　者：范菊平[1,2] 张玲[1] 贾新章[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071 [2]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金项目(9140C09040206DZ0101)

年　　份：2010

卷　　号：22

期　　号：6

起止页码：1319-1322

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20102713051260)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得到了损伤结果。对样品进行的失效分析探明了器件的损伤部位和失效机理。结果表明,高功率微波注入主要造成B-E结的退化和损伤;从基极注入微波最易损伤晶体管,而从集电极注入则相反。

关 键 词：高功率微波 晶体管 损伤  失效分析  

分 类 号：TN015]