文献类型：期刊文章

作　　者：张鹤鸣[1] 崔晓英[1,2] 胡辉勇[1] 戴显英[1] 宣荣喜[1]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 [2]中国电子科技集团第五研究所分析中心

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家部委预研项目(批准号:51308040203;51408061105DZ0171)资助的课题~~

年　　份：2007

卷　　号：56

期　　号：6

起止页码：3504-3508

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20072710692653)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000247302500077)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.

关 键 词：应变SiGe  SOI MOSFET 阈值电压 模型  

分 类 号：TN386]